1
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI
KHOA VẬT LÍ
TIỂU LUẬN
NHIỄU XẠ TIA X VÀ ỨNG DỤNG
Sinh viên thực hiện:
Phan Xuân Việt Lớp: K72CLC Khoa Vật Lí
Ngày sinh: 03/07/2004
Mã sinh viên: 725103141
Môn học: Cơ sở Vật Lí 4
Họ và tên giảng viên:
Lê Minh Thư
2
I.
Sự tìm ra nhiễu xạ tia X:
Tia X là bức xạ điện từ có bước sóng vào khoảng 1 Å (= 10-10m).
Hình 1 cho thấy làm thể nào tia X được tạo nên khi các êlectrôn từ
một dây tóc được đốt nóng F, bị một hiệu điện thế V gia tốc và đập
lên một bia kim loại T. Chùm tia với các bước sóng cụ thể được tạo
ra nhờ đặc trưng của vật liệu làm bia kim loại (Cu, Fe, Mo, Cr), đồng
là vật liệu mục tiêu phổ biến nhất cho nhiễu xạ tinh thể đơn, với bức
xạ
𝐶𝑢𝐾𝛼 = 1.5418 Å
.
Một cách tử nhiễu xạ quang học tiêu chuẩn không thể dùng để phân biệt các bước sóng khác
nhau trong vùng phố tia X. Với A = 1 Å (= 0,1nm), một cách tử với
𝑑 ≈ 𝜆
là cần thiết, tuy
nhiên do các bước sóng tia X vào khoảng bằng đường kính của nguyên tử nên các cách tử
như vậy không thể gia công cơ học được.
Năm 1912 một nhà vật lí người Đức Max von Laue, cùng với các cộng sự
của mình (Walter Friedrich và Paul Knipping) phát hiện rằng một tỉnh thể
được cấu tạo bởi một mạng đều đặn các nguyên tử, có thể tạo nên một "cách
tử nhiễu xạ" tự nhiên ba chiều dùng cho tia X. Họ đã thực hiện thí nghiệm
tiên phong trên tinh thế Natri clorua (NaCl).
Họ phát hiện ra rằng nếu biết được khoảng cách giữa các nguyên tử trong tinh thể, thì có thể
đo được bước sóng của tia X, và ngược lại, nếu biết được bước sóng, thì các thí nghiệm nhiễu
xạ tia X có thể được sử dụng để xác định khoảng cách giữa các mặt phẳng trong một tinh thể.
Ba người đã được trao giải Nobel Vật lý cho những khám phá của họ về nhiễu xạ tia X.
II.
Nguyên lý nhiễu xạ tia X – Định luật Bragg
Một tỉnh thể như natri clorua (NaCl) chẳng hạn, có các ô cơ sở các nguyên tử (được gọi là ô
đơn vị) lập đi lập lại trong mạng. Trong NaCl bốn ion Na và bốn ion Cl kết hợp lại thành một
ô đơn vị. Hình 3 biểu diễn một phần tinh thể NaCl và các ô đơn vị đó. Tinh thế này là tinh thể
lập phương, các ô mạng do đó là một hình lập phương có mỗi cạnh là a
Hình 3: Hình ảnh nhiễu xạ đầu tiên từ tinh thể NaCl dưới góc nhìn 3D
(trái) và góc nhìn 2D (phải)
Hình 2: Max von Laue
Hình 1: Phương pháp tạo ra
tia X
3
Khi một chùm tia X đi vào một tỉnh thể như tinh thể NaCl, tia X bị tán xạ nghĩa là định hướng
lại theo những phương do cấu trúc tinh thể xác định. Theo một vài phương nào đó sóng tán
xạ giao thoa và bị triệt tiêu, kết quả cho những cực tiểu về cường độ, theo các phương khác
sự giao thoa lại làm tăng cường nên tạo ra các cực đại về cường độ. Quá trình tán xạ và giao
thoa là một dạng của nhiễu xạ mặc dù nó không giống như nhiễu xạ của ánh sáng qua một
khe hoặc qua một mép biên.
Hình 5 cho thấy ba họ mặt phẳng với khoảng cách giữa hai mặt phẳng kế tiếp là d. Từ các
mặt phẳng này các tia tới được xem là bị phản xạ. Ở mỗi lần phản xạ góc tới và góc phản xạ
được biểu diễn bằng góc
𝜃
. Các góc này được xác định đối với mặt phẳng phản xạ (mặt phẳng
được tô đậm) chứ không phải so với pháp tuyến như trong quang học thông thường. Trong
trường hợp của hình 5a khoảng cách giữa các mặt phẳng đúng bằng kích thước a của một ô
mạng.
Hình 6 cho thấy khi nhìn nghiêng các phản xạ từ một cập mặt phẳng kế tiếp. Các sóng của
các tỉa 1 và 2 khi đến tinh thể cùng pha với nhau. Sau khi phản xạ chúng vẫn còn cũng pha,
vì rằng các phản xạ và những mặt phản xạ được định nghĩa nhằm giải thích các cực đại cường
độ khi tia X nhiễu xạ qua một tỉnh thể. Khác với ảnh sáng, tia X không khúc xạ khi đi vào
tinh thể nên chúng ta không kể định nghĩa một chiết suất cho trường hợp này. Như vậy pha
tương đối giữa sóng của tia 1 và của tia 2 khi rời khỏi tỉnh thể chỉ duy nhất xác định bởi hiệu
số lộ trình. Để cho các tia này cùng pha với nhau hiệu lộ trình phải bằng một số nguyên lần
bước sóng của tia X.
Hình 4: Cấu trúc mạng tinh thẻ NaCl
Hình 6: Tia X bị phản xạ bởi một tập hợp
các mặt phẳng song song
Hình 5: Góc nhìn khác của hình 5
4
Từ hình 7 chúng ta tìm được:
𝐴𝐵 = 𝐵𝐶
=
𝑑. 𝑠𝑖𝑛
Điều này là đúng cho mọi cập mật kế tiếp trong
họ các mặt biểu diễn trong hình 6. Như vậy
chúng ta có hiệu quang trình:
𝐴𝐵 + 𝐵𝐶
=
2𝑑𝑠𝑖𝑛
Nếu đường đi AB+BC là một bội số của bước
sóng tia X (
𝜆
), thì hai sóng sẽ tạo ra giao thoa
tăng cường:
𝐴𝐵 + 𝐵𝐶
=
2𝑑𝑠𝑖𝑛
= 𝑚. 𝜆 ; 𝑚 = 1,2,3, …
(Bragg’s law)
Phương trình trên được gọi là định luật Bragg, trong đó m là bậc của cực đại cường độ của
phản xạ như đã giả thiết, góc đôi và góc phản xạ trong phương trình trên được gọi là góc
Bragg. Được đặt theo tên nhà vật lí người Anh W.L Bragg lần đầu tiên tìm ra nó. Năm 1915,
W.L Bragg cùng với cha của mình đã cùng được trao giải Nobel Vật lý cho các nghiên cứu
của họ, sử dụng quang phổ kế tia X, phổ tia X, nhiễu xạ tia X và cấu trúc tinh thể.
Bất kể góc mà tia X đi vào tỉnh thể bao giờ cũng có một họ các mặt phẳng mà từ đó tia X có
thể được xem là bị phản xạ để chúng ta có thể áp dụng định luật Bragg. Trong hình 6, cấu trúc
tỉnh thể có cùng định hướng như trong hình 4 nhưng góc mà chùm tia đi vào cấu trúc khác
với góc đã vẽ trong hình 5. Góc mới này đòi hỏi một họ mặt phẳng mới với khoảng cách ở
giữa chúng cũng khác với góc Bragg
𝜃
khác, nhằm để giải thích sự nhiễu xạ tia X thông qua
định luật Bragg.
Dựa trên tính toán đơn giản, chúng ta có thể chứng minh khoảng cách d giữa chúng liên hệ
với kích thước a của ô đơn vị:
5𝑑 =
√
𝑎
𝑜
2
+
(
2𝑎
𝑜
)
2
=
√
5𝑎
𝑜
(Pytago)
→ 𝑑 =
𝑎
𝑜
√
5
Biểu thức này đúng với những mặt trong hình 4,5,6,7.
Hình 7: Sơ đồ các tia phản xạ
Hình 9: Sir William Henry
Bragg (1862-1942)
Hình
8:
William
Lawrence
Bragg (1890-1971)
5
III.Phương pháp tạo nhiễu xạ, đo nhiễu xạ tia X:
Máy nhiễu xạ tia X gồm các thành phần chính: một ống phát tia X, một giá đỡ tinh thể, bộ đo
góc và một máy dò tia X (Connolly, 2007).
Giá đỡ tinh thể được đặt ở trung tâm của vòng tròn (gọi là goniometer) và có thể xoay quanh
trục trung tâm. Goniometer là một thiết bị dùng để duy trì góc và xoay mẫu, trong khi máy
dò tia X được gắn trên vành của goniometer và cũng có thể xoay quanh trục trung tâm. Khi
tinh thể được xoay ở một góc θ trên đường đi của chùm tia X chuẩn trực, máy dò tia X cần
được xoay ở một góc 2θ, nhiệm vụ này được lập trình sẵn cho Goniometer.
Quá trình tạo ra chùm tia X bởi ống phát tia X được biểu diễn như ở hình 1. Các bước sóng
cụ thể được tạo ra nhờ đặc trưng của vật liệu làm mẫu (Cu, Fe, Mo, Cr), đồng là vật liệu mục
tiêu phổ biến nhất cho nhiễu xạ tinh thể đơn, với bức xạ
𝐶𝑢𝐾𝛼 = 1.5418 Å
. Việc lọc luồng
tia bằng lăng kính đơn sắc tinh thể là cần thiết để tạo ra tia X đơn sắc cần cho nhiễu xạ. Các
tia X này được chuẩn trực và chiếu vào tinh thể. Khi tia X tới va chạm vào tinh thể và quá
trình phản xạ thỏa mãn định luật Bragg, thoa mang tăng cường xảy ra và một đỉnh cường độ
xuất hiện. Máy dò ghi lại dữ liệu của các đỉnh này, sau đó xử lý các tín hiệu tia X, và kết quả
được xuất ra các thiết bị như máy in hoặc màn hình máy tính.
IV.
Ứng dụng của nhiễu xạ tia X
Nhiễu xạ tia X là một công cụ mạnh để nghiên cứu phổ tia X lẫn cách sắp xếp các nguyên tử
trong tinh thể. Do đó có rất nhiều ứng dụng liên quan nhằm mục đích định tính cấu trúc
nguyên tử, giúp xác định công thức các hợp chất,...
Các chú thích: XRD – Nhiễu xạ tia X; XRPD- Nhiễu xạ bột tia X.
1.
Công nghệ dược phẩm:
Ứng dụng của nhiễu xạ tia X (XRD) trong công nghiệp dược phẩm đóng vai trò thiết yếu
trong việc phát triển và sản xuất thuốc. XRD là một kỹ thuật phân tích không phá hủy giúp
xác định cấu trúc tinh thể của các thành phần hoạt chất (API), cung cấp thông tin chi tiết về
mức độ kết tinh và nhận dạng các dạng đa hình độc đáo. Điều này rất quan trọng trong việc
Hình 10: Biểu diễn hình học mối liên hệ
giữa khoảng cách d và kích thước ô đơn vị
Hình 11: Sơ đồ của hệ thống máy nhiễu xạ.
6
đảm bảo chất lượng và ổn định của thuốc, cũng như tối ưu hóa quá trình công thức hóa nhằm
đáp ứng các yêu cầu về hiệu quả điều trị và khả năng xử lý. Đặc biệt, XRD giúp phân tích tại
chỗ tỷ lệ phần trăm các thành phần hoạt chất và các chất không kết tinh, từ đó hỗ trợ bảo vệ
đầu tư thông qua việc bảo vệ bằng sáng chế.
Theo nghiên cứu của Aaltonen và các cộng sự năm 2009, trong quá trình phát triển dược
phẩm, XRD hỗ trợ nhiều giai đoạn sàng lọc các dạng rắn của API để tìm ra dạng phù hợp
nhất. Phân tích XRD cũng cho phép kiểm tra tác động của độ ẩm lên tính chất vật lý của thuốc
và xác định các dạng hydrat hóa cũng như các biến thể hình thái khác nhau của các chất dược
phẩm, góp phần nâng cao giá trị chứng cứ và chất lượng của sản phẩm.
Nghiên cứu bổ sung của Ivanisevic năm 2010, kỹ thuật này cho phép đặc tính hóa các API
trong quá trình phát triển thuốc và nhận dạng các API trong các ứng dụng liên quan đến sản
xuất và pháp lý. Nhờ khả năng phân tích chính xác các mẫu nhiều thành phần cùng lúc, XRD
giúp kiểm tra chất lượng và ổn định của thuốc, đặc biệt trong các công thức phức tạp.
2.
Khoa học pháp y:
Việc phân tích các mẫu vật trong pháp y rất khắt khe về việc bảo tồn, giữ nguyên tình trạng
ban đầu của mẫu vật. Điều này là dễ hiểu vì các phép phân tích thô sơ dễ khiến cho các mẫu
vật bị biến dạng, sứt mẻ,... PXRD là một quy trình phân tích mà không phá hủy mẫu vật, do
đó rất thích hợp cho phân tích các mẫu vật hữu cơ, vô cơ và kim loại, đồng thời có khả năng
định lượng và định tính các hỗn hợp.
Ứng dụng nổi bật của PXRD là trong phân tích và so sánh các vụ bắt giữ ma túy, giúp xác
định các chất tá dược hoặc chất pha loãng được thêm vào, từ đó tạo ra "chữ ký" phân tích, hỗ
trợ truy tìm nguồn gốc ma túy (Nghiên cứu của Causin, 2010).
Ngoài ra, PXRD còn được dùng trong phân tích các mẫu đất, giúp cung cấp bằng chứng liên
kết một người hoặc vật đến hiện trường. Kỹ thuật này cũng được sử dụng để phân tích dấu
vết tiếp xúc, ví dụ như sơn, tóc, mảnh thủy tinh hoặc bột đất (Nghiên cứu Eckardt, 2012).
Sự hợp tác giữa các phòng thí nghiệm pháp y và các tổ chức học thuật đã cho thấy tiềm năng
áp dụng phân tích nhiễu xạ tia X trên tinh thể đơn để nhận dạng các loại thuốc mới trong các
cuộc điều tra (Higashi, 2010; Trzybiński, 2013). Khoa học bảo tồn cũng dựa vào các phép đo
bằng nhiễu xạ tia X, giúp phân tích các mẫu nhỏ mà không gây hư hỏng, từ đó bảo tồn mẫu
vật phục vụ cho các nghiên cứu sau này (Grieten và Casadio, 2010; Cardell, 2009).
3.
Khoáng sản
XRD là một công cụ quan trọng trong thăm dò khoáng sản, giúp xác định cấu trúc tinh thể
của các khoáng vật và nhận diện nhanh chóng các khoáng chất trong mẫu đất hoặc đá. Mỗi
loại khoáng chất có mô hình nhiễu xạ đặc trưng, từ đó cho phép phân tích tỷ lệ các khoáng
chất khác nhau trong mẫu (Shrivastava, 2009). XRD đã mang lại sự tiến bộ vượt bậc cho
ngành địa chất, làm cho các nghiên cứu về tinh thể học trở nên không thể thiếu. Lớp đất bề
mặt, với sự pha trộn giữa chất khoáng và chất hữu cơ, có vai trò quan trọng trong việc quản
lý và năng suất của đất, trong đó đất sét là thành phần đáng chú ý với các ứng dụng thương
mại và khả năng cải thiện tính chất đất.
7
Trong một nghiên cứu khác của Eunice năm 2013, các trầm tích cát từ sông Niger ở Nigeria
đã được đặc tính hóa và xác định có khả năng sử dụng làm nguyên liệu thô cho sản xuất gốm
và men nhờ phân tích XRD. Ngoài ra, phân tích XRD trên đá phiến đen của tầng Thành viên
Chang 7 ở Trung Quốc cho thấy tính chất khoáng vật của các mẫu đá phiến này tương tự với
các mỏ khí đá phiến giàu sản lượng tại Bắc Mỹ, cho thấy tiềm năng thăm dò khí đá phiến
(Yao, 2014).
Andreeva vào năm 2011 đã sử dụng XRD để nghiên cứu các
dolomit từ kỷ Devon giữa ở Bulgaria, giúp phân biệt và giải thích
hai nhóm dolomit chính dựa trên thành phần hóa học và mức độ
kết tinh. Những kết quả này minh chứng cho khả năng của XRD
trong việc phân tích cấu trúc và thành phần của các loại đất và đá
để phục vụ cho nghiên cứu và khai thác địa chất.
*Dolomit là một loại đá trầm tích cacbonat cũng như một khoáng
vật. Công thức hóa học của tinh thể là CaMg(CO
3
)
2
.
4.
Ngành công nghiệp vi điện tử
XRD là công cụ quan trọng trong ngành công nghiệp vi điện tử, đặc biệt khi ngành này sử
dụng các chất bán dẫn đơn tinh thể silicon và gallium arsenide trong sản xuất vi mạch tích
hợp. Kỹ thuật XRD cho phép phát hiện và hình ảnh hóa các khuyết tật trong tinh thể một cách
nhanh chóng, làm cho nó trở thành công cụ đánh giá không phá hủy hữu hiệu trong việc đặc
tính hóa các mẫu tinh thể đơn công nghiệp (Murray, 2010).
XRD đóng vai trò quan trọng trong việc xác định sự phân bố ứng suất trong các thành phần
silicon-on-insulator (SOI), góp phần dự đoán và thiết kế hoạt động của các thiết bị. Các phát
triển gần đây như nguồn tia X sáng, thấu kính hội tụ và các công nghệ xử lý dữ liệu XRD đã
được áp dụng trong các quy trình sản xuất tiên tiến như chế tạo transistor kim loại-trên-silicon
(MOS) (Wyon, 2010).
Ngoài ra, XRD được sử dụng để nghiên cứu vi cấu trúc liên diện của các mối hàn nhiệt giữa
các lớp vật liệu như Au/Al, giúp xác định các khoảng cách giữa các mặt phẳng tinh thể và các
pha liên kim mới hình thành (Li, 2011). Phân tích ứng suất trong các công nghệ tích hợp quy
mô siêu lớn cũng được thực hiện để giải quyết các vấn đề về độ tin cậy do chênh lệch hệ số
giãn nở nhiệt giữa các lớp kim loại và môi trường xung quanh gây ra. Murray vào năm 2012
chỉ ra rằng sự dẻo của Đồng (Cu) có thể tạo ra ứng suất kéo lớn hơn ở bề mặt Cu/cap sau khi
làm nguội, làm tăng rủi ro rỗng hóa trong quá trình kim loại hóa.
5.
Công nghiệp thủy tinh
Mặc dù thủy tinh là vô định hình và không tự tạo ra các mẫu nhiễu xạ tia X, XRD vẫn được
sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp thủy tinh để xác định các hạt tinh thể gây ra lỗi nhỏ
trong khối thủy tinh và đo lường các lớp phủ tinh thể để nghiên cứu kích thước hạt, cấu trúc
và mức độ kết tinh (Benmore, 2010).
Hình 12: Mẫu khoáng vật dolomit
8
XRD cũng đóng vai trò quan trọng trong việc nghiên cứu tác động của áp suất cao lên cấu
trúc của thủy tinh silica, phát hiện sự thay đổi cấu trúc và sự tái sắp xếp liên kết trong điều
kiện áp suất cao.
Trong nghiên cứu của Sadki về thủy tinh aluminisilicat chứa lantan, ytri và scandium, XRD
được sử dụng cùng với các kỹ thuật khác để nghiên cứu hành vi kết tinh và tính chất cơ học
của các loại thủy tinh này.
Các thí nghiệm của Nasu năm 2009 mô phỏng động lực học phân tử và nghiên cứu nhiễu xạ
bằng tia neutron và tia X bổ sung đã giúp làm rõ cấu trúc polyhedra trong các loại thủy tinh
giàu aluminat ytri.
Ngoài ra, Nasu (2009) đã điều tra cơ chế biến dạng vi mô của thủy tinh kim loại trong điều
kiện kéo dãn, báo cáo sự thay đổi cấu trúc tầm ngắn và trung bình trong các dải thủy tinh kim
loại Cu
50
Zr
50
và Ni
30
Zr
70
. Sự biến dạng này được quan sát trực tiếp bằng cách sử dụng phương
pháp nhiễu xạ tia X năng lượng cao, cung cấp thông tin về sự thay đổi trong phân bố nguyên
tử, cho thấy có sự xảy ra của các vi thư giãn trong thủy tinh kim loại khi chịu tác động kéo.
Tổng quan, Nhiễu xạ tia X (XRD) là một kỹ thuật phân tích được sử dụng để đặc tính hóa các
pha tinh thể của nhiều loại vật liệu, thường dùng trong phân tích khoáng vật và xác định các
vật liệu chưa biết. Dữ liệu nhiễu xạ bột cơ bản được thu được từ sắp xếp nguyên tử và phân
tử được giải thích bởi vật lý của tinh thể học.
Có thể kết luận một số ưu điểm của kỹ thuật XRD trong các phòng thí nghiệm khoa học:
•
Không phá hủy mẫu vật, nhanh chóng và dễ chuẩn bị mẫu.
•
Độ chính xác cao cho việc tính toán khoảng cách giữa các mặt phẳng (d-spacing).
•
Cho phép đặc tính hóa vật liệu tinh thể đơn, đa tinh thể và vô định hình.
•
Có thể thực hiện tại chỗ, kho dữ liệu tiêu chuẩn sẵn có cho hàng nghìn hệ vật liệu.